AS4C64M32MD1-5BCN和AS4C64M32MD1-5BCNTR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 AS4C64M32MD1-5BCN AS4C64M32MD1-5BCNTR

描述 DDR DRAM, 64MX32, 5ns, CMOS, PBGA90, 0.8MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FBGA-90DRAM Chip Mobile DDR SDRAM 2G-Bit 64M x 32 1.8V 90Pin BGA

数据手册 --

制造商 Alliance Memory (联盟记忆) Alliance Memory (联盟记忆)

分类 RAM芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount -

封装 VFBGA-90 VFBGA-90

时钟频率 200 MHz -

存取时间 5 ns -

工作温度(Max) 70 ℃ -

工作温度(Min) 0 ℃ -

电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V

电源电压(Max) 1.95 V -

电源电压(Min) 1.7 V -

封装 VFBGA-90 VFBGA-90

工作温度 -25℃ ~ 85℃ (TA) -25℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tray Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅

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