JAN2N4930和JANTX2N4930

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JAN2N4930 JANTX2N4930 2N4930

描述 TO-39 PNP 200V 0.2ATO-39 PNP 200V 0.2ASmall Signal Transistors TO-39 Case

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Central Semiconductor

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 3 3 -

封装 TO-39 TO-39 TO-39

极性 PNP PNP -

击穿电压(集电极-发射极) 200 V 200 V -

集电极最大允许电流 0.2A 0.2A -

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) 1000 mW 1000 mW -

封装 TO-39 TO-39 TO-39

材质 Silicon Silicon -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bag Bag -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant -

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