IRFW830BTM和SIHD5N50D-GE3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFW830BTM SIHD5N50D-GE3 SIHD5N50D-E3

描述 Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3Pin(2+Tab) D2PAK T/RMOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 DPKMOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 DPK

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 -

封装 D2PAK TO-252-3 TO-252-3

漏源极电阻 1.50 Ω 1.2 Ω -

极性 N-Channel N-Channel -

耗散功率 3.13 W 104 W 104W (Tc)

阈值电压 - 3 V -

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V

输入电容(Ciss) - 325pF @100V(Vds) 325pF @100V(Vds)

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 104W (Tc) 104W (Tc)

漏源击穿电压 500 V - -

栅源击穿电压 ±30.0 V - -

连续漏极电流(Ids) 4.50 A - -

封装 D2PAK TO-252-3 TO-252-3

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Discontinued at Digi-Key Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free 无铅

ECCN代码 EAR99 - -

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