2N6284和JAN2N6277

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N6284 JAN2N6277 2N6284G

描述 STMICROELECTRONICS  2N6284  单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 100 V, 160 W, 20 A, 750 hFEPNP功率硅晶体管 PNP POWER SILICON TRANSISTORON SEMICONDUCTOR  2N6284G  单晶体管 双极, NPN, 100 V, 160 W, 20 A, 100 hFE 新

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) Microsemi (美高森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-3 TO-204 TO-204-2

极性 NPN NPN NPN

击穿电压(集电极-发射极) 100 V 150 V 100 V

集电极最大允许电流 - 50A 20A

最小电流放大倍数(hFE) 750 @10A, 3V 30 @20A, 4V 750 @10A, 3V

额定功率(Max) 160 W 250 W 160 W

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 160000 mW 250000 mW 160000 mW

额定电压(DC) 100 V - 100 V

额定电流 20.0 A - 20.0 A

针脚数 3 - 3

耗散功率 160 W - 160 W

直流电流增益(hFE) 750 - 100

输出电压 - - 100 V

输出电流 - - 20 A

最大电流放大倍数(hFE) - - 18000

输入电压 - - 5 V

封装 TO-3 TO-204 TO-204-2

长度 - - 39.37 mm

宽度 - - 26.67 mm

高度 - - 8.51 mm

材质 - Silicon -

工作温度 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Active

包装方式 Bag Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - EAR99

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