CY7C1563KV18-450BZXC和CY7C1568XV18-600BZXC

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY7C1563KV18-450BZXC CY7C1568XV18-600BZXC UPD44645182F5-E50-FQ1-A

描述 72 - Mbit的QDR -II SRAM + 4字突发架构 72-Mbit QDR-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture72兆位的DDR II的Xtreme SRAM 2字突发架构( 2.5周期读延迟) 72-Mbit DDR II Xtreme SRAM 2-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)4MX18 QDR SRAM, 0.45ns, PBGA165, 15 X 17 MM, LEAD FREE, PLASTIC, BGA-165

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Renesas Electronics (瑞萨电子)

分类 RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 165 165 -

封装 LBGA FBGA-165 LBGA

位数 - 18 -

存取时间 - 0.45 ns -

存取时间(Max) - 0.45 ns -

工作温度(Max) - 70 ℃ -

工作温度(Min) - 0 ℃ -

电源电压 - 1.7V ~ 1.9V -

电源电压(Max) - 1.9 V -

电源电压(Min) - 1.7 V -

高度 - 0.89 mm -

封装 LBGA FBGA-165 LBGA

长度 15 mm - -

宽度 13 mm - -

工作温度 - 0℃ ~ 70℃ -

产品生命周期 Obsolete Unknown Unknown

包装方式 - Tray -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - 无铅 -

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