IRFB3207PBF和IRFZ14PBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFB3207PBF IRFZ14PBF STP140NF75

描述 N沟道,75V,180A,4.5mΩ@10V功率MOSFET Power MOSFETSTMICROELECTRONICS  STP140NF75  晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 75 V, 7.5 mohm, 10 V, 4 V

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) VISHAY (威世) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) 75.0 V 60.0 V 75.0 V

额定电流 180 A 10.0 A 120 A

漏源极电阻 4.5 mΩ 0.2 Ω 0.0075 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 300 W 43 W 310 W

产品系列 IRFB3207 - -

输入电容 7600pF @50V - 5000 pF

漏源极电压(Vds) 75 V 60 V 75 V

漏源击穿电压 75 V 60.0 V 75.0 V

连续漏极电流(Ids) 180 A 10.0 A 120 A

上升时间 120 ns 50 ns 140 ns

输入电容(Ciss) 7600pF @50V(Vds) 300pF @25V(Vds) 5000pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 300 W 43 W 310 W

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

针脚数 - 3 3

阈值电压 - 2 V 4 V

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

下降时间 - 19 ns 90 ns

耗散功率(Max) - 43 W 310W (Tc)

长度 10.66 mm 10.41 mm 10.4 mm

高度 9.02 mm 9.01 mm 9.15 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

宽度 - 4.7 mm 4.6 mm

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

最小包装 - 50 -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2014/06/16

ECCN代码 - - EAR99

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台