对比图
型号 IRF1405 IRF1405ZPBF IRF1405PBF
描述 TO-220AB N-CH 55V 169AINFINEON IRF1405ZPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 150 A, 55 V, 4.9 mohm, 10 V, 4 VINFINEON IRF1405PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 169 A, 55 V, 5.3 mohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-220 TO-220-3 TO-220-3
引脚数 - 3 3
额定电压(DC) 55.0 V - -
额定电流 169 A - -
漏源极电阻 4.60 mΩ 0.0049 Ω 0.0053 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 200 W 230 W 330 W
产品系列 IRF1405 - -
漏源极电压(Vds) 55.0 V 55 V 55 V
漏源击穿电压 55.0V (min) - 55 V
连续漏极电流(Ids) 169 A 150A 169A
上升时间 190 ns 110 ns 190 ns
下降时间 110 ns 82 ns 110 ns
额定功率 - 230 W 200 W
针脚数 - 3 3
阈值电压 - 4 V 4 V
输入电容 - - 5480 pF
输入电容(Ciss) - 4780pF @25V(Vds) 5480pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 230 W 330 W
工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 230W (Tc) 330W (Tc)
封装 TO-220 TO-220-3 TO-220-3
长度 - 10.67 mm 10.67 mm
高度 - 16.51 mm 8.77 mm
宽度 - 4.83 mm -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
材质 - Silicon Silicon
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Bulk Tube Tube
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 - - EAR99