AUIRFP4568和IRFP4568PBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 AUIRFP4568 IRFP4568PBF

描述 N沟道 150V 171AINFINEON  IRFP4568PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 171 A, 150 V, 0.0048 ohm, 30 V, 5 V

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 3

封装 TO-247-3 TO-247-3

通道数 1 -

漏源极电阻 4.8 mΩ 0.0048 Ω

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 517 W 517 W

阈值电压 3 V 5 V

漏源极电压(Vds) 150 V 150 V

漏源击穿电压 150 V -

连续漏极电流(Ids) 171A 171A

上升时间 119 ns 119 ns

输入电容(Ciss) 10470pF @50V(Vds) 10470pF @50V(Vds)

下降时间 84 ns 84 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 517W (Tc) 517W (Tc)

额定功率 - 517 W

针脚数 - 3

输入电容 - 10470pF @50V

额定功率(Max) - 517 W

长度 15.87 mm 15.87 mm

宽度 5.31 mm 5.31 mm

高度 20.7 mm 20.7 mm

封装 TO-247-3 TO-247-3

材质 Silicon -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台