对比图
描述 CPH P-CH 60V 4A-60V,-4A,100mΩ,单N沟道功率MOSFET
数据手册 --
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 6
封装 TSOT-23-6 TSOT-23-6
针脚数 - 6
漏源极电阻 100 mΩ 0.077 Ω
耗散功率 1.6 W 1.6 W
输入电容 - 600 pF
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V
上升时间 12 ns 12 ns
输入电容(Ciss) 600pF @20V(Vds) 600pF @20V(Vds)
下降时间 40 ns 40 ns
工作温度(Max) - 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
耗散功率(Max) 1.6W (Ta) 1.6W (Ta)
无卤素状态 Halogen Free -
通道数 1 -
极性 P-CH -
漏源击穿电压 60 V -
连续漏极电流(Ids) 4A -
额定功率(Max) 1.6 W -
封装 TSOT-23-6 TSOT-23-6
工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free