BSM10GP120和BSM25GP120

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSM10GP120 BSM25GP120 MUBW15-12A7

描述 TECHNISCHE信息 Technische InformationIGBT 模块,Infineon**Infineon** 系列 IGBT 模块提供低切换损耗,用于高达 60 khz 频率的切换。 IGBT 跨一系列电源模块,如 ECONOPACK 封装,1200V 时带集电极开路发射器电压;PrimePACK IGBT 半桥斩波器模块,其 NTC 高达 1600/1700V。 PrimePACK IGBT 可在工业、商业、建筑和农业车辆中找到。 N 通道 TRENCHSTOP TM 和 Fieldstop IGBT 模块适用于硬切换和软切换应用,例如反相器、UPS 和工业驱动器。 封装类型包括:62mm 模块、EasyPACK、EconoPACKTM2/EconoPACKTM3/EconoPACKTM4 ### IGBT 分立件和模块,Infineon绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。Trans IGBT Module N-CH 1200V 35A 105000mW 24Pin E2-Pack

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) IXYS Semiconductor

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管

基础参数对比

安装方式 Screw Screw Chassis

引脚数 24 24 24

封装 EconoPIM-2 EconoPIM-2 E2-Pack

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) 40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) - 230 W 105000 mW

耗散功率 100 W - 105000 mW

击穿电压(集电极-发射极) - - 1200 V

输入电容(Cies) - - 1nF @25V

额定功率(Max) - - 180 W

额定功率 100 W - -

长度 107.5 mm 107.5 mm -

宽度 45 mm 45 mm -

高度 17 mm 17 mm -

封装 EconoPIM-2 EconoPIM-2 E2-Pack

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Obsolete Active

包装方式 Tray - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

工作温度 -40℃ ~ 125℃ - -40℃ ~ 125℃ (TJ)

ECCN代码 - - EAR99

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