JANTX1N5525D-1和JANTXV1N5525D-1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JANTX1N5525D-1 JANTXV1N5525D-1 JAN1N5525D-1

描述 低电压表面贴装500 mW的雪崩二极管 Low Voltage Surface Mount 500 mW Avalanche Diodes无铅封装用于表面安装齐纳二极管500mW的 LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mW无铅封装用于表面安装齐纳二极管500mW的 LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mW

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 齐纳二极管齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 DO-204AH DO-204AH DO-204AH

容差 ±1 % ±1 % ±1 %

正向电压 1.1V @200mA 1.1V @200mA 1.1V @200mA

稳压值 6.2 V 6.2 V 6.2 V

额定功率(Max) 500 mW 500 mW 500 mW

封装 DO-204AH DO-204AH DO-204AH

工作温度 -65℃ ~ 175℃ -65℃ ~ 175℃ -65℃ ~ 175℃

产品生命周期 Active Active Active

RoHS标准

含铅标准

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