CY7C1525KV18-333BZXC和CY7C1526KV18-300BZXC

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY7C1525KV18-333BZXC CY7C1526KV18-300BZXC GS8662Q09GE-250I

描述 72 - Mbit的QDR - II SRAM的2字突发架构 72-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture72 - Mbit的QDR II SRAM 4字突发架构 72-Mbit QDR II SRAM 4-Word Burst ArchitectureSRAM Chip Sync Dual 1.8V 72M-Bit 8M x 9Bit 0.45ns 165Pin FBGA

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) GSI

分类 RAM芯片RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 165 165 -

封装 FBGA-165 FBGA-165 -

供电电流 790 mA - -

位数 9 - -

存取时间 0.45 ns 0.45 ns -

存取时间(Max) 0.45 ns - -

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ -

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ -

电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V -

电源电压(Max) - 1.9 V -

电源电压(Min) - 1.7 V -

高度 0.89 mm 0.89 mm -

封装 FBGA-165 FBGA-165 -

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) -

产品生命周期 Unknown Unknown -

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 无铅 PB free -

ECCN代码 3A991.b.2.a - -

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