2N6768T1和JANTXV2N6768T1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N6768T1 JANTXV2N6768T1 JAN2N6768T1

描述 N沟道MOSFET N-CHANNEL MOSFETTrans MOSFET N-CH 400V 14A 3Pin(3+Tab) TO-254 T/RTO-254 N-CH 400V 14A

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-254-3 TO-254-3 TO-254-3

耗散功率 4W (Ta), 150W (Tc) 4W (Ta), 150W (Tc) 4W (Ta), 150W (Tc)

漏源极电压(Vds) 400 V 400 V 400 V

额定功率(Max) 4 W - -

耗散功率(Max) 4W (Ta), 150W (Tc) 4W (Ta), 150W (Tc) 4W (Ta), 150W (Tc)

通道数 - - 1

极性 - - N-CH

连续漏极电流(Ids) - - 14A

封装 TO-254-3 TO-254-3 TO-254-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Obsolete

包装方式 Bulk Bulk Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead

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