SI7186DP-T1-GE3和SIR880ADP-T1-GE3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SI7186DP-T1-GE3 SIR880ADP-T1-GE3 SI7186DP-T1-E3

描述 MOSFET N-CH 80V 32A PPAK SO-8Single N-Channel 80V 8.9mOhm 24NC 83W SMT Mosfet - PowerPAK SO-8MOSFET N-CH 80V 32A PPAK SO-8

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 -

封装 SO-8 SO-8 PowerPAKSO-8

极性 N-Channel N-Channel -

耗散功率 5.2W (Ta), 64W (Tc) 83 W 5.2W (Ta), 64W (Tc)

漏源极电压(Vds) 80 V 80 V 80 V

连续漏极电流(Ids) 32.0 A - -

输入电容(Ciss) 2840pF @40V(Vds) 2289pF @40V(Vds) 2840pF @40V(Vds)

耗散功率(Max) 5.2W (Ta), 64W (Tc) 5.4W (Ta), 83W (Tc) 5.2W (Ta), 64W (Tc)

漏源极电阻 - 0.0052 Ω -

阈值电压 - 1.5 V -

上升时间 - 10 ns -

下降时间 - 9 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

长度 6.15 mm 6.15 mm 6.15 mm

宽度 5.15 mm 5.15 mm 5.15 mm

高度 1.04 mm 1.04 mm 1.04 mm

封装 SO-8 SO-8 PowerPAKSO-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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