HGTG18N120BND和STGWA25M120DF3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 HGTG18N120BND STGWA25M120DF3 HGTG18N120BN

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  HGTG18N120BND  单晶体管, IGBT, 通用, 54 A, 2.7 V, 390 W, 1.2 kV, TO-247, 3 引脚STMICROELECTRONICS  STGWA25M120DF3  单晶体管, IGBT, 50 A, 1.85 V, 375 W, 1.2 kV, TO-247, 3 引脚54A , 1200V ,不扩散核武器条约系列N沟道IGBT 54A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

额定电压(DC) 1.20 kV - 1.20 kV

额定电流 54.0 A - 54.0 A

额定功率 - - 390 W

耗散功率 390 W 375 W 390 W

击穿电压(集电极-发射极) 1200 V 1200 V 1200 V

额定功率(Max) 390 W 375 W 390 W

工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 390 W 375000 mW 390000 mW

针脚数 3 3 -

反向恢复时间 75 ns 265 ns -

极性 N-Channel - -

上升时间 22.0 ns - -

长度 15.87 mm - 15.87 mm

宽度 4.82 mm - 4.82 mm

高度 20.82 mm - 20.82 mm

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -

REACH SVHC标准 No SVHC - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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