对比图
型号 BSC0909NSATMA1 BSC094N03SG STL60NH3LL
描述 晶体管, MOSFET, N沟道, 44 A, 34 V, 0.0077 ohm, 10 V, 2 VOptiMOS®2功率三极管 OptiMOS™2 Power-TransistorN沟道30V - 0.0065Ohm - 30A - PowerFLAT TM （引脚6x5 ）超低栅极电荷STripFET⑩功率MOSFET N-channel 30V - 0.0065Ohm - 30A - PowerFLAT TM (6x5) Ultra low gate charge STripFET⑩ Power MOSFET
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管晶体管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 - -
封装 PG-TDSON-8 PG-TDSON-8 PowerFLAT-5x6-8
额定功率 27 W - -
针脚数 8 - -
漏源极电阻 0.0077 Ω - 8.5 mΩ
极性 N-CH - -
耗散功率 2.5 W - 60 W
阈值电压 2 V - -
漏源极电压(Vds) 34 V 30.0 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 12A 35.0 A 30.0 A
上升时间 4.4 ns - 65 ns
输入电容(Ciss) 1110pF @15V(Vds) - 1810pF @25V(Vds)
下降时间 5.4 ns - 20 ns
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - 55 ℃
耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 27W (Tc) 2.8W (Ta), 52W (Tc) 60W (Tc)
额定电压(DC) - 30.0 V 30.0 V
额定电流 - 35.0 A 30.0 A
输入电容 - 1.80 nF 1.81 nF
栅电荷 - 14.0 nC -
通道数 - - 1
漏源击穿电压 - - 30 V
额定功率(Max) - - 4 W
长度 5.9 mm - 5 mm
宽度 5.15 mm - 6 mm
高度 1.27 mm - 0.81 mm
封装 PG-TDSON-8 PG-TDSON-8 PowerFLAT-5x6-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Obsolete Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free