MMBZ6V8AL-7-F和SZMMBZ6V8ALT3G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMBZ6V8AL-7-F SZMMBZ6V8ALT3G MMBZ6V8AL-7

描述 DIODES INC.  MMBZ6V8AL-7-F  TVS二极管, AEC-Q113, AEC-Q101 MMBZ系列, 单向, 4.5 V, 9.6 V, SOT-23, 3 引脚24W 双齐纳瞬态电压抑制器,ON SemiconductorSOT-23 双共阳极齐纳,用于 ESD 防护。 旨在用于电压和 ESD 敏感设备,如计算机、打印机、商业机器、通信系统、医疗设备和其他应用。### 瞬态电压抑制器,On SemiconductorTVS 4.5V 24W CA UNI-DIR SOT23-3

数据手册 ---

制造商 Diodes (美台) ON Semiconductor (安森美) Diodes (美台)

分类 TVS二极管齐纳二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

额定电压(DC) 4.50 V - 4.50 V

额定功率 24 W - 24.0 W

击穿电压 6.46 V 6.8 V 6.80 V

耗散功率 225 mW 300 mW -

钳位电压 9.6 V 9.6 V 9.6 V

测试电流 1 mA 1 mA -

最大反向击穿电压 7.14 V 7.14 V -

脉冲峰值功率 24 W 24 W 24 W

最小反向击穿电压 6.46 V 6.46 V 6.46 V

击穿电压 6.46 V - -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃ -65 ℃

工作结温 -65℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -

耗散功率(Max) 225 mW 300 mW 225 mW

工作电压 - 4.5 V -

长度 1.3 mm 3.04 mm 3.00 mm

宽度 2.9 mm 1.40 mm 1.40 mm

高度 1 mm 1.01 mm 1.10 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

厚度 - - 1.10 mm

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Discontinued at Digi-Key

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 - -

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