D44H8和D44H8G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 D44H8 D44H8G

描述 互补硅功率晶体管 Complementary Silicon Power TransistorsON SEMICONDUCTOR  D44H8G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 60 V, 50 MHz, 2 W, 10 A, 60 hFE

数据手册 --

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3

频率 50 MHz 50 MHz

额定电压(DC) 60.0 V 60.0 V

额定电流 10.0 A 10.0 A

极性 NPN NPN

耗散功率 2 W 2 W

击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V

集电极最大允许电流 10A 10A

最小电流放大倍数(hFE) 40 40 @4A, 1V

额定功率(Max) 2 W 2 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2000 mW 2 W

针脚数 - 3

增益频宽积 - 50 MHz

热阻 - 62.5℃/W (RθJC)

直流电流增益(hFE) - 60

最大电流放大倍数(hFE) - -

长度 10.67 mm 10.28 mm

宽度 4.83 mm 4.82 mm

高度 9.28 mm 9.28 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3

材质 Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Tube Tube

最小包装 50 -

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2017/07/07

ECCN代码 EAR99 EAR99

香港进出口证 - -

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