PHP20N06T和PHP20N06T,127

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PHP20N06T PHP20N06T,127 MTP20N06V

描述 N沟道晶体管的TrenchMOS N-channel TrenchMOS transistorN 通道 MOSFET,10A 至 99A,NXP Semiconductors### MOSFET 晶体管,NXP SemiconductorsTMOS POWER FET 20 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.08Ω

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Motorola (摩托罗拉)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 - 3 -

封装 SOT-78 TO-220-3 -

耗散功率 - 62 W -

漏源极电压(Vds) 55.0 V 55 V -

上升时间 - 50 ns -

输入电容(Ciss) - 483pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) - 62 W -

下降时间 - 40 ns -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 62W (Tc) -

额定电压(DC) 55.0 V - -

额定电流 20.3 A - -

输入电容 483 pF - -

栅电荷 11.0 nC - -

连续漏极电流(Ids) 20.3 A - -

长度 - 10.3 mm -

宽度 - 4.7 mm -

高度 - 9.4 mm -

封装 SOT-78 TO-220-3 -

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 Tube Rail, Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -

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