对比图
型号 BUK7C10-75AITE BUK7C10-75AITE,118
描述 N沟道TrenchPLUS标准水平FET N-channel TrenchPLUS standard level FETTrans MOSFET N-CH 75V 75A 7Pin(6+Tab) D2PAK T/R
数据手册 --
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)
分类 MOS管
安装方式 - Surface Mount
封装 - TO-263-7
耗散功率 - 272 W
漏源极电压(Vds) - 75 V
上升时间 - 108 ns
输入电容(Ciss) - 4700pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 272 W
下降时间 - 100 ns
耗散功率(Max) - 272W (Tc)
封装 - TO-263-7
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active
包装方式 - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free