BD243B-S和TIP41BG

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BD243B-S TIP41BG BD243B

描述 TO-220 NPN 80V 6ANPN 功率晶体管,ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管中功率线性和开关应用 Medium Power Linear and Switching Applications

数据手册 ---

制造商 Bourns J.W. Miller (伯恩斯) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

频率 - 3 MHz -

额定电压(DC) - 80.0 V 80.0 V

额定电流 - 6.00 A 6.00 A

针脚数 - 3 -

极性 NPN NPN -

耗散功率 - 65 W 65 W

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V 80 V

集电极最大允许电流 6A 6A -

最小电流放大倍数(hFE) 15 @3A, 4V 15 @3A, 4V 15 @3A, 4V

额定功率(Max) 2 W 2 W 65 W

直流电流增益(hFE) - 75 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 65000 mW 2000 mW 65000 mW

长度 - 10.28 mm -

宽度 - 4.82 mm -

高度 - 15.75 mm 9.4 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

材质 Silicon Silicon -

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tube Tube Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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