IRL8113S和IRL8113SPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRL8113S IRL8113SPBF

描述 D2PAK N-CH 30V 105AN 通道功率 MOSFET 超过 100A,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3

封装 TO-263-3 TO-263-3

额定电压(DC) - -

额定电流 - -

漏源极电阻 - 7.1 mΩ

极性 N-CH N-Channel

耗散功率 110W (Tc) 110 W

产品系列 - -

输入电容 - -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 105A 105A

上升时间 - 38 ns

输入电容(Ciss) 2840pF @15V(Vds) 2840pF @15V(Vds)

额定功率(Max) - -

工作温度(Max) - 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) 110W (Tc) 110W (Tc)

额定功率 - 110 W

通道数 - 1

漏源击穿电压 - 30 V

下降时间 - 5 ns

长度 - 10.67 mm

高度 - 4.83 mm

封装 TO-263-3 TO-263-3

宽度 - 9.65 mm

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 - Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

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