对比图
型号 SI4435DDY-T1-GE3 SI4835BDY-T1-E3 SI4435DDY-T1-E3
描述 MOSFET; Power; P-Ch; VDSS -30V; RDS(ON) 0.015Ω; ID -7A; SO-8; PD 1.5W; VGS +/-20V; -55MOSFET P-CH 30V 7.4A 8-SOICTrans MOSFET P-CH 30V 8.1A 8Pin SOIC N T/R
数据手册 ---
制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 - -
封装 SOIC-8 SO-8 SOIC-8
漏源极电阻 0.035 Ω - 35 mΩ
耗散功率 5 W 1.5W (Ta) 2.5W (Ta), 5W (Tc)
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
输入电容(Ciss) 1350pF @15V(Vds) - 1350pF @15V(Vds)
工作温度(Max) 150 ℃ - -
工作温度(Min) -55 ℃ - -
耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 5W (Tc) 1.5W (Ta) 2.5W (Ta), 5W (Tc)
长度 5 mm - -
封装 SOIC-8 SO-8 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Obsolete Active
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free