IS61C256AL-12TLI和IS61C256AL-12TLI-TR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS61C256AL-12TLI IS61C256AL-12TLI-TR 71256SA12PZGI8

描述 RAM,ISSI**ISSI** 静态 RAM 产品使用高性能 CMOS 技术。 提供各种静态 RAM,其中包括 5V 高速异步 SRAM、高速低功率异步 SRAM、5V 低功率类型异步 SRAM、超低功率 CMOS 静态 RAM 和 PowerSaverTM 低功率异步 SRAM。 ISSI SRAM 设备提供各种电压、存储器大小和不同的组织。 它们适用于以下应用,如 CPU 缓存、嵌入式处理器、硬盘和工业电子开关。 电源:1.8V/3.3V/5V 提供的封装:BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP 提供的配置选择:x8 和 x16 ECC 功能可用于高速异步 SRAM ### SRAM(静态随机存取存储器)静态随机存取存储器 256K,High-Speed,Async,32K x 8,12ns,5v,28 Pin TSOP I (8x13.4mm), RoHS32K X 8 SRAM

数据手册 ---

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 RAM芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 28 28 -

封装 TSOP-28 TSOP-28 -

电源电压(DC) 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max) -

位数 8 8 -

存取时间 12 ns 12 ns -

内存容量 32000 B 256000 B -

存取时间(Max) 12 ns 12 ns -

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ -

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -

电源电压 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V -

工作电压 5 V - -

供电电流 40 mA - -

针脚数 28 - -

电源电压(Max) 5.5 V - -

电源电压(Min) 4.5 V - -

封装 TSOP-28 TSOP-28 -

长度 8.1 mm - -

宽度 11.9 mm - -

高度 1 mm - -

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) -

产品生命周期 Active Active -

包装方式 Tray Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free 无铅 -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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