FP20R06W1E3和FP20R06W1E3_B11

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FP20R06W1E3 FP20R06W1E3_B11 FP10R06W1E3BOMA1

描述 EasyPIM模块海沟/ Fieldstopp IGBT3和发射极控制二极管3和NTC EasyPIM module with Trench/Fieldstopp IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode and NTCIGBT 模块,Infineon **Infineon 封装类型包括:62mm 模块、EasyPACK、EconoPACKTM IGBT 分立件和模块,Infineon 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。晶体管, IGBT阵列&模块, Six N Channel, 10 A, 1.55 V, 68 W, 600 V, Module

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管

基础参数对比

引脚数 23 22 15

封装 EASY1B-1 AG-EASY1B-2 AG-EASY1B-1

安装方式 Screw Screw -

针脚数 - - 23

耗散功率 94 W - 68 W

击穿电压(集电极-发射极) 600 V - 600 V

输入电容(Cies) 1.1nF @25V - 550pF @25V

额定功率(Max) 94 W - 68 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 175 ℃

极性 N-Channel - -

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -

额定功率 - 94 W -

耗散功率(Max) - 94 W -

封装 EASY1B-1 AG-EASY1B-2 AG-EASY1B-1

长度 62.8 mm 48 mm -

宽度 33.8 mm 33.8 mm -

高度 12 mm 12 mm -

工作温度 -40℃ ~ 150℃ -40℃ ~ 150℃ -40℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

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