IXDN504SIA和IXDN602SIATR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXDN504SIA IXDN602SIATR UCC27324D

描述 MOSFET DRVR 4A 2Out Lo Side Non-Inv 8Pin SOIC TubeIXDN 系列 35 V 2 A 2.5 Ohm 双 低压侧 超快 MOSFET 驱动器 - SOIC-8TEXAS INSTRUMENTS  UCC27324D  双路驱动器, MOSFET, 低压侧, 4V-15V电源, 4A输出, 35ns延迟, SOIC-8

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor TI (德州仪器)

分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

电源电压(DC) - - 4.00V (min)

上升/下降时间 9ns, 8ns 7.5ns, 6.5ns 20ns, 15ns

输出接口数 - 2 2

输出电压 - - 300 mV

输出电流 - - 4.00 A

针脚数 - - 8

耗散功率 - - 1.14 W

上升时间 16 ns 15 ns 40 ns

输出电流(Max) - - 4.5 A

下降时间 14 ns 15 ns 40 ns

下降时间(Max) - 15 ns 40 ns

上升时间(Max) - 15 ns 40 ns

工作温度(Max) - 125 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) - - 1140 mW

电源电压 4.5V ~ 30V 4.5V ~ 35V 4.5V ~ 15V

电源电压(Max) - - 15 V

电源电压(Min) - - 4 V

长度 - - 4.9 mm

宽度 - - 3.91 mm

高度 - - 1.58 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 - EAR99

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