对比图
型号 BQ4013YMA-70 M48Z128-70PM1 DS1245AB-70+
描述 128Kx8非易失SRAM 128Kx8 Nonvolatile SRAM1兆位128KB X8 ZEROPOWER SRAM 1 Mbit 128Kb x8 ZEROPOWER SRAMMAXIM INTEGRATED PRODUCTS DS1245AB-70+ 芯片, 存储器, NVRAM
数据手册 ---
制造商 TI (德州仪器) ST Microelectronics (意法半导体) Maxim Integrated (美信)
分类 存储芯片RAM芯片存储芯片
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 32 32 32
封装 DIP-32 DIP-32 DIP-32
电源电压(DC) 5.00 V 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.25 V (max)
供电电流 50 mA 105 mA -
时钟频率 70.0 GHz 70.0 GHz 70.0 GHz
存取时间 70 ns 70 ns 70 ns
内存容量 125000 B 125000 B 125000 B
存取时间(Max) 70 ns 70 ns -
工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 70 ℃
工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ 0 ℃
电源电压 4.5V ~ 5.5V 4.75V ~ 5.5V 4.75V ~ 5.25V
电源电压(Max) - 5.5 V 5.25 V
电源电压(Min) - 4.75 V 4.75 V
针脚数 - - 32
长度 42.8 mm 43.18 mm -
宽度 18.42 mm 18.8 mm 18.8 mm
高度 9.4 mm 9.52 mm -
封装 DIP-32 DIP-32 DIP-32
工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃
产品生命周期 Obsolete Not Recommended for New Designs Unknown
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -