对比图
型号 CY7C25682KV18-500BZC CY7C25682KV18-550BZXC
描述 72兆位的DDR II SRAM双字突发架构（ 2.5周期读延迟）与ODT 72-Mbit DDR II SRAM Two-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) with ODT72兆位的DDR II SRAM双字突发架构（ 2.5周期读延迟）与ODT 72-Mbit DDR II SRAM Two-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) with ODT
数据手册 --
制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)
分类 存储芯片RAM芯片
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 165 165
封装 FBGA-165 FBGA-165
位数 - 18
存取时间(Max) - 0.45 ns
工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃
工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃
电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V
存取时间 0.45 ns -
高度 0.89 mm 0.89 mm
封装 FBGA-165 FBGA-165
工作温度 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃
产品生命周期 Unknown Unknown
包装方式 Tray Tray
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead 无铅