LMV861MG和LMV861MG/NOPB

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 LMV861MG LMV861MG/NOPB

描述 30 MHz的低功耗CMOS , EMI硬化运算放大器 30 MHz Low Power CMOS, EMI Hardened Operational AmplifiersOP Amp Single GP R-R O/P 5.5V 5Pin SC-70 T/R

数据手册 --

制造商 National Semiconductor (美国国家半导体) National Semiconductor (美国国家半导体)

分类

基础参数对比

引脚数 5 5

封装 TSSOP SC-70

安装方式 Surface Mount -

共模抑制比 - 78 dB

增益频宽积 - 31 MHz

输入补偿电压 - 1 mV

输入偏置电流 - 0.01 nA

输出电流 - -

供电电流 - -

电路数 - -

通道数 - -

针脚数 - -

输入补偿漂移 - -

带宽 - -

转换速率 - -

工作温度(Max) - -

工作温度(Min) - -

增益带宽 - -

共模抑制比(Min) - -

电源电压 - -

电源电压(Max) - -

电源电压(Min) - -

封装 TSSOP SC-70

长度 2 mm -

宽度 1.25 mm -

高度 - -

产品生命周期 Unknown Unknown

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 - RoHS Compliant

含铅标准 - -

REACH SVHC标准 - -

REACH SVHC版本 - -

工作温度 - -

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