对比图
型号 IPI100N06S3-04 IPP100N06S3-04
描述 的OptiMOS -T电源晶体管 OptiMOS-T Power-Transistor的OptiMOS -T电源晶体管 OptiMOS-T Power-Transistor
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 3 3
封装 TO-262-3 TO-220-3-1
额定电压(DC) 55.0 V 55.0 V
额定电流 100 A 100 A
极性 N-CH N-CH
耗散功率 214W (Tc) 214W (Tc)
输入电容 20.6 nF 21.6 nF
栅电荷 374 nC 480 nC
漏源极电压(Vds) 55 V 55 V
连续漏极电流(Ids) 100 A 100 A
上升时间 62 ns 62 ns
输入电容(Ciss) 14230pF @25V(Vds) 14230pF @25V(Vds)
下降时间 62 ns 62 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 214W (Tc) 214W (Tc)
封装 TO-262-3 TO-220-3-1
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Obsolete
包装方式 Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free