2N4261UB和JAN2N4261UB

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N4261UB JAN2N4261UB JANTX2N4261UB

描述 PNP小信号硅晶体管 PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTORTrans GP BJT PNP 15V 0.03A 3Pin UBUB PNP 15V 0.03A

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SMD-3 SMD-3 SMD-3

引脚数 3 - 4

击穿电压(集电极-发射极) 15 V 15 V 15 V

最小电流放大倍数(hFE) 30 @10mA, 1V 30 @10mA, 1V 30 @10mA, 1V

额定功率(Max) 200 mW 200 mW 200 mW

极性 - - PNP

耗散功率 - - 0.2 W

集电极最大允许电流 - - 0.03A

工作温度(Max) 200 ℃ - 200 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ - -65 ℃

耗散功率(Max) 200 mW - 200 mW

封装 SMD-3 SMD-3 SMD-3

工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ)

材质 Silicon - Silicon

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk Pack -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准

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