CY7C109D10VXIT和IS61C1024AL-12KLI

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY7C109D10VXIT IS61C1024AL-12KLI IS61C1024AL-12KLI-TR

描述 SRAM Chip Async Single 5V 1M-bit 128K x 8 10ns 32Pin SOJ T/RRAM,ISSI**ISSI** 静态 RAM 产品使用高性能 CMOS 技术。 提供各种静态 RAM,其中包括 5V 高速异步 SRAM、高速低功率异步 SRAM、5V 低功率类型异步 SRAM、超低功率 CMOS 静态 RAM 和 PowerSaverTM 低功率异步 SRAM。 ISSI SRAM 设备提供各种电压、存储器大小和不同的组织。 它们适用于以下应用,如 CPU 缓存、嵌入式处理器、硬盘和工业电子开关。 电源:1.8V/3.3V/5V 提供的封装:BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP 提供的配置选择:x8 和 x16 ECC 功能可用于高速异步 SRAM ### SRAM(静态随机存取存储器)SRAM Chip Async Single 5V 1M-Bit 128K x 8 12ns 32Pin SOJ T/R

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 RAM芯片RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 32 32 32

封装 - SOJ-32 BSOJ-32

电源电压(DC) - 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max)

工作电压 - 5 V -

针脚数 - 32 -

位数 - 8 8

存取时间 10 ns 12 ns 12 ns

内存容量 - 125000 B 1000000 B

存取时间(Max) 10 ns 12 ns 12 ns

工作温度(Max) - 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃ -40 ℃

电源电压 - 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V

电源电压(Max) - 5.5 V -

电源电压(Min) - 4.5 V -

供电电流 80 mA - 40 mA

长度 - 21.08 mm -

宽度 - 10.29 mm -

高度 - 3.75 mm -

封装 - SOJ-32 BSOJ-32

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Not Recommended for New Design Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free PB free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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