对比图
型号 BSC016N06NSATMA1 BSC034N06NSATMA1 BSC028N06NSATMA1
描述 INFINEON BSC016N06NSATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 60 V, 0.0014 ohm, 10 V, 2.8 V晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 60 V, 0.0028 ohm, 10 V, 2.8 VINFINEON BSC028N06NSATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 60 V, 0.0025 ohm, 10 V, 2.8 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 PG-TDSON-8 PG-TDSON-8 PG-TDSON-8
额定功率 139 W 74 W 83 W
通道数 1 1 1
针脚数 8 8 8
漏源极电阻 0.0014 Ω 2.8 mΩ 0.0025 Ω
极性 N-Channel N-CH N-Channel
耗散功率 139 W 74 W 83 W
阈值电压 2.8 V 2.1 V 2.8 V
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V
连续漏极电流(Ids) 30A 100A 100A
上升时间 92 ns 5 ns 38 ns
输入电容(Ciss) 5200pF @30V(Vds) 2400pF @30V(Vds) 2700pF @30V(Vds)
下降时间 16 ns 5 ns 8 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 139W (Tc) 2500 mW 2.5W (Ta), 83W (Tc)
漏源击穿电压 60 V 60 V -
长度 5.9 mm 5.9 mm 6.1 mm
宽度 5.15 mm 5.15 mm 5.15 mm
高度 1.27 mm 1.27 mm 1.1 mm
封装 PG-TDSON-8 PG-TDSON-8 PG-TDSON-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17