对比图
型号 FDBL86210-F085 NVTFS5826NLTWG NTHS5404T1G
描述 ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDBL86210_F085, 169 A, Vds=150 V, 8引脚 PSOF封装N 通道功率 MOSFET，60V，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON SemiconductorON SEMICONDUCTOR NTHS5404T1G 晶体管, MOSFET, N沟道, 5.2 A, 20 V, 25 mohm, 4.5 V, 600 mV
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 H-PSOF WDFN-8 SMD-8
无卤素状态 - Halogen Free -
通道数 - 1 -
极性 - N-CH N-Channel
耗散功率 - 22 W 1.3 W
阈值电压 - 2.5 V 600 mV
漏源极电压(Vds) - 60 V 20 V
连续漏极电流(Ids) - 7.6A 7.20 A
上升时间 30 ns 29 ns 7 ns
输入电容(Ciss) 5805pF @75V(Vds) 850pF @25V(Vds) 740pF @16V(Vds)
额定功率(Max) - 3.2 W 1.3 W
下降时间 23 ns 21 ns 28 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 500 W 3.2W (Ta), 22W (Tc) 1.3W (Ta)
额定电压(DC) - - 20.0 V
额定电流 - - 5.20 A
针脚数 - - 8
漏源极电阻 - - 25 mΩ
漏源击穿电压 - - 20.0 V
栅源击穿电压 - - ±12.0 V
长度 10.48 mm 3.15 mm 3.1 mm
宽度 9.9 mm 3.15 mm 1.7 mm
高度 2.4 mm 0.75 mm 1.1 mm
封装 H-PSOF WDFN-8 SMD-8
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
ECCN代码 - - EAR99