MT46H128M16LFB7-6 WT:B TR和MT46H128M16LFDD-48 WT:C TR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MT46H128M16LFB7-6 WT:B TR MT46H128M16LFDD-48 WT:C TR MT46H128M16LFDD-48 WT:C

描述 DRAM Chip Mobile LPDDR SDRAM 2Gbit 128Mx16 1.8V 60Pin VFBGADRAM Chip LPDDR SDRAM 2G-Bit 128M x 16 1.8V 60Pin VFBGA T/RDRAM Chip Mobile LPDDR SDRAM 2G-Bit 128M x 16 1.8V 60Pin VFBGA

数据手册 ---

制造商 Micron (镁光) Micron (镁光) Micron (镁光)

分类 RAM芯片存储芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 60 60 60

封装 VFBGA-60 BGA-60 BGA-60

位数 16 16 16

存取时间 - 5.0 ns 5.0 ns

存取时间(Max) 6.5ns, 5ns 4.8 ns 4.8 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -25 ℃ -25 ℃ -25 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.95V 1.7V ~ 1.95V 1.7V ~ 1.95V

供电电流 - - 130 mA

封装 VFBGA-60 BGA-60 BGA-60

工作温度 -25℃ ~ 85℃ (TA) -25℃ ~ 85℃ (TA) -25℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅 无铅

ECCN代码 - - EAR99

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