1N5262B-TAP和JANTX1N4126-1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N5262B-TAP JANTX1N4126-1 1N4126

描述 Diode Zener Single 51V 5% 0.5W(1/2W) 2Pin DO-35 Ammo硅500毫安低噪声齐纳二极管 SILICON 500mA LOW NOISE ZENER DIODES低反向漏电流和低噪音等特点 LOW REVERSE LEAKAGE AND LOW NOISE CHARACTERISTICS

数据手册 ---

制造商 VISHAY (威世) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 2 2 2

封装 DO-35 DO-213AA-2 DO-35

容差 - ±5 % -

正向电压 1.1 V 1.1V @200mA -

耗散功率 500 mW 480 mW 400 mW

测试电流 2.5 mA 0.25 mA 0.25 mA

稳压值 51 V 51 V 51 V

额定功率(Max) - 500 mW -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

稳压电流 2.5 mA - -

正向电压(Max) 1.1V @200mA - -

耗散功率(Max) 500 mW - -

长度 - 3.7 mm -

封装 DO-35 DO-213AA-2 DO-35

工作温度 - -65℃ ~ 175℃ -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Ammo Pack Bulk Bag

最小包装 10000 - -

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free -

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