MMBT3906和MMBT3906LT3G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMBT3906 MMBT3906LT3G MMBT3906_NL

描述 MMBT3906系列 40 V CE击穿 0.2 A PNP 通用 放大器 - SOT-23NPN 晶体管,最大 1A,ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管TRANS PNP 40V 0.2A SOT-23

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

频率 - 250 MHz -

额定电压(DC) - -40.0 V -

额定电流 - -200 mA -

针脚数 3 3 -

极性 - PNP -

耗散功率 350 mW 225 mW -

击穿电压(集电极-发射极) 40 V 40 V 40 V

集电极最大允许电流 - 0.2A -

最小电流放大倍数(hFE) 30 100 @10mA, 1V 100 @10mA, 1V

额定功率(Max) 350 mW 225 mW 350 mW

直流电流增益(hFE) 300 100 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 350 mW 225 mW -

输入电容 10 pF - -

上升时间 35 ns - -

下降时间 75 ns - -

长度 - 3.04 mm -

宽度 - 1.4 mm -

高度 - 1.01 mm -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

材质 Silicon Silicon -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 -

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