SI4401DDY-T1-GE3和SI4401DY

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SI4401DDY-T1-GE3 SI4401DY FDS4685

描述 MOSFET P-CH 40V 16.1A 8-SOICMOSFET 40V 10.5A 3WFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS4685.  晶体管, P沟道

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 - 8

封装 SOIC-8 SO-8 SOIC-8

额定电压(DC) - - -40.0 V

额定电流 - - -8.20 A

通道数 - - 1

针脚数 - - 8

漏源极电阻 0.018 Ω 15.5 mΩ 0.022 Ω

极性 - P-Channel P-Channel

耗散功率 6.3 W 1.50 W 2.5 W

输入电容 - - 1.87 nF

栅电荷 - - 19.0 nC

漏源极电压(Vds) 40 V - 40 V

漏源击穿电压 - - 40 V

栅源击穿电压 - ±20.0 V ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) - - 8.20 mA

上升时间 - - 11 ns

输入电容(Ciss) 3007pF @20V(Vds) - 1872pF @20V(Vds)

额定功率(Max) - - 1.2 W

下降时间 - - 18 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 6.3W (Tc) - 2.5W (Ta)

长度 - 4.9 mm 5 mm

宽度 - 3.9 mm 4 mm

高度 - 1.75 mm 1.5 mm

封装 SOIC-8 SO-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 - - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 2014/06/16 - 2015/06/15

ECCN代码 - - EAR99

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