IRF7413PBF和IRF7842

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF7413PBF IRF7842 IRF7413TRPBF

描述 INFINEON  IRF7413PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 30 V, 0.011 ohm, 10 V, 3 V40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 packageINFINEON  IRF7413TRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 30 V, 0.011 ohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SO-8 SOIC-8

额定功率 2.5 W - 2.5 W

针脚数 8 - 8

漏源极电阻 0.011 Ω 4.00 mΩ 0.011 Ω

极性 N-Channel - N-Channel

耗散功率 2.5 W - 2.5 W

阈值电压 3 V - 3 V

输入电容 - - 1800 pF

漏源极电压(Vds) 30 V 40.0 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 13A 18.0 A 13A

上升时间 50 ns 12.0 ns 50 ns

输入电容(Ciss) 1800pF @25V(Vds) - 1800pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - - 2.5 W

下降时间 46 ns - 46 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 2.5W (Ta) - 2.5W (Ta)

额定电压(DC) - 40.0 V -

额定电流 - 18.0 A -

产品系列 - IRF7842 -

通道数 1 - -

漏源击穿电压 30 V - -

长度 5 mm - 5 mm

宽度 3.9 mm - 4 mm

高度 1.5 mm - 1.5 mm

封装 SOIC-8 SO-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Bulk Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

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