对比图
描述 900V N沟道MOSFET 900V N-Channel MOSFETQFET® N 通道 MOSFET，高达 5.9A，Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。
数据手册 --
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管
封装 D2PAK TO-263-3
引脚数 - 3
安装方式 - Surface Mount
极性 N-CH N-Channel
漏源极电压(Vds) 900 V 900 V
连续漏极电流(Ids) 5.4A 5.40 A
针脚数 - 3
漏源极电阻 - 1.8 Ω
耗散功率 - 158 W
阈值电压 - 3 V
上升时间 - 65 ns
输入电容(Ciss) - 1550pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 3.13 W
下降时间 - 50 ns
工作温度(Max) - 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
耗散功率(Max) - 3.13W (Ta), 158W (Tc)
额定电压(DC) - 900 V
额定电流 - 5.40 A
漏源击穿电压 - 900 V
栅源击穿电压 - ±30.0 V
封装 D2PAK TO-263-3
长度 - 10.67 mm
宽度 - 9.65 mm
高度 - 4.83 mm
产品生命周期 Unknown Active
包装方式 - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 - RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/06/15
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
ECCN代码 - EAR99