LMC662AIM/NOPB和LMC662AIMX

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 LMC662AIM/NOPB LMC662AIMX LMC662AIM

描述 TEXAS INSTRUMENTS  LMC662AIM/NOPB  运算放大器, 双路, 1.4 MHz, 2个放大器, 1.1 V/µs, 4.75V 至 15.5V, SOIC, 8 引脚LMC662AIMXTEXAS INSTRUMENTS  LMC662AIM  运算放大器, 双路, 1.4 MHz, 2个放大器, 1.1 V/µs, 4.75V 至 15.5V, SOIC, 8 引脚

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) National Semiconductor (美国国家半导体) TI (德州仪器)

分类 运算放大器运算放大器运算放大器

基础参数对比

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 PDIP SOIC-8

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

输出电流 22mA @5V 21.0 mA 22mA @5V

通道数 2 2 2

输入补偿漂移 1.30 µV/K 1.30 µV/K 1.30 µV/K

转换速率 1.10 V/μs 1.10 V/μs 1.10 V/μs

增益频宽积 1.4 MHz 1.40 MHz 1.4 MHz

电源电压(DC) 16.0 V - 5.00 V

供电电流 750 µA - 750 µA

电路数 2 - 2

针脚数 8 - 8

共模抑制比 70 dB - 70 dB

带宽 1.4 MHz - 1.4 MHz

输入补偿电压 1 mV - 1 mV

输入偏置电流 0.002 pA - 0.002 pA

工作温度(Max) 85 ℃ - 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ - -40 ℃

增益带宽 1.4 MHz - 1.4 MHz

共模抑制比(Min) 70 dB - 70 dB

电源电压 4.75V ~ 15.5V - 4.75V ~ 15.5V

电源电压(Max) - - 15.5 V

电源电压(Min) - - 4.75 V

工作电压 4.75V ~ 15.5V - -

封装 SOIC-8 PDIP SOIC-8

长度 4.9 mm - 4.9 mm

宽度 3.9 mm - 3.9 mm

高度 1.45 mm - 1.45 mm

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Each

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

工作温度 -40℃ ~ 85℃ - -40℃ ~ 85℃

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