IPB80N04S2-04和IPB80N04S3-03

对比图

型号 IPB80N04S2-04 IPB80N04S3-03 SPB80N04S2-04

描述 OptiMOS㈢功率三极管 OptiMOS㈢ Power-Transistor的OptiMOS -T电源晶体管 OptiMOS-T Power-Transistor的OptiMOS功率三极管 OptiMOS Power-Transistor

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 -

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3-2

极性 N-CH N-CH N-CH

耗散功率 - 188 W 300W (Tc)

漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 40 V

连续漏极电流(Ids) 80A 80A 80.0 A

上升时间 - 17 ns -

输入电容(Ciss) 5300pF @25V(Vds) 7300pF @25V(Vds) 6980pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 300 W 188 W -

下降时间 - 14 ns -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 188W (Tc) 300W (Tc)

额定电压(DC) - - 40.0 V

额定电流 - - 80.0 A

输入电容 - - 6.98 nF

栅电荷 - - 170 nC

长度 - 10 mm -

宽度 - 9.25 mm -

高度 - 4.4 mm -

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3-2

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead