NTMFS4921NT3G和NTMFS4C10NT1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 NTMFS4921NT3G NTMFS4C10NT1G NTMFS4921NT1G

描述 功率MOSFET的30 V , 58.5 A单N沟道, SO- 8 FL Power MOSFET 30 V, 58.5 A, Single N−Channel, SO−8 FLON SEMICONDUCTOR  NTMFS4C10NT1G  晶体管, MOSFET, N沟道, 46 A, 30 V, 0.0058 ohm, 10 V, 2.2 V30V,58.5A功率MOSFET

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 DFN-5 DFN-5 SO-FL-8

引脚数 - 5 8

极性 N-CH N-Channel N-CH

耗散功率 870mW (Ta), 38.5W (Tc) 23.6 W 2.14 W

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 13.8A 22.5A 13.8A

输入电容(Ciss) 1400pF @12V(Vds) 987pF @15V(Vds) 1400pF @12V(Vds)

耗散功率(Max) 870mW (Ta), 38.5W (Tc) 750mW (Ta), 23.6W (Tc) 870mW (Ta), 38.5W (Tc)

针脚数 - 5 -

漏源极电阻 - 0.0058 Ω 10.8 mΩ

阈值电压 - 2.2 V 1.8 V

输出功率 - 750 mW -

额定功率(Max) - 750 mW 870 mW

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

电源电压 - 30 V -

通道数 - - 1

漏源击穿电压 - - 30 V

封装 DFN-5 DFN-5 SO-FL-8

长度 - 6.1 mm 5.1 mm

宽度 - 5.1 mm 6.1 mm

高度 - 1.05 mm 1.1 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

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