MT29F8G08ABCBBH1-12:B和MT29F8G08ABCBBH1-12IT:B

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MT29F8G08ABCBBH1-12:B MT29F8G08ABCBBH1-12IT:B

描述 SLC NAND Flash Parallel/Serial 3.3V 8Gbit 1G x 8Bit 100Pin VBGASLC NAND Flash Parallel/Serial 3.3V 8Gbit 1G x 8Bit 100Pin VBGA

数据手册 --

制造商 Micron (镁光) Micron (镁光)

分类 Flash芯片Flash芯片

基础参数对比

封装 VBGA-100 VBGA-100

引脚数 100 -

工作电压 3.30 V 3.30 V

内存容量 1000000000 B 1000000000 B

电源电压 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V

位数 8 -

工作温度(Max) 70 ℃ -

工作温度(Min) 0 ℃ -

封装 VBGA-100 VBGA-100

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown

包装方式 Bulk Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 PB free 无铅

ECCN代码 3A991.b.1.a -

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