对比图
型号 IRF3205Z IRF3205ZPBF HUF75339P3
描述 TO-220AB N-CH 55V 110AINFINEON IRF3205ZPBF 晶体管, MOSFET, 汽车, N沟道, 110 A, 55 V, 6.5 mohm, 10 V, 4 VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR HUF75339P3 晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 55 V, 12 mohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 - 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) 55.0 V - 55.0 V
额定电流 75.0 A - 75.0 A
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 4.90 mΩ 0.0065 Ω 0.012 Ω
极性 N-CH N-Channel N-Channel
耗散功率 170W (Tc) 170 W 200 W
阈值电压 - 4 V 4 V
输入电容 3.45 nF 3450 pF 2.00 nF
栅电荷 110 nC - 60.0 nC
漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V
漏源击穿电压 55.0V (min) 55 V 55.0 V
栅源击穿电压 - - ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 110 A 110A 75.0 A
上升时间 95.0 ns 95 ns 60 ns
输入电容(Ciss) 3450pF @25V(Vds) 3450pF @25V(Vds) 2000pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 170 W 200 W
下降时间 - 67 ns 25 ns
工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 170W (Tc) 170000 mW 200W (Tc)
产品系列 IRF3205Z - -
额定功率 - 170 W -
长度 - 10.54 mm 10.67 mm
宽度 - 4.69 mm 4.83 mm
高度 - 8.77 mm 9.4 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
材质 - Silicon -
产品生命周期 Obsolete Active Active
包装方式 Bulk Tube Tube
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/06/15
ECCN代码 - - EAR99