JAN1N1206A和JANTX1N1206A

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JAN1N1206A JANTX1N1206A 1N1206A

描述 军事硅电力整流器 Military Silicon Power Rectifier军事硅电力整流器 Military Silicon Power Rectifier整流器 600V 12A Std. Recovery

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) GeneSiC Semiconductor

分类 功率二极管功率二极管功率二极管

基础参数对比

引脚数 2 2 2

封装 DO-4 DO-203AA DO-4

安装方式 - - Chassis

正向电压 1.35V @38A 1.35 V 1.1V @12A

正向电流 12000 mA 12000 mA 12 A

正向电流(Max) 12000 mA 12 A 12 A

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -55 ℃

热阻 - - 2℃/W (RθJC)

正向电压(Max) - - 1.1 V

工作结温 - - -55℃ ~ 150℃

封装 DO-4 DO-203AA DO-4

高度 - - 22.79 mm

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tray Tray Bulk

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

军工级 Yes Yes -

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

工作温度 - - 150 ℃

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