BC846ALT1G和BC846BWT1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC846ALT1G BC846BWT1G BC 846A E6433

描述 ON SEMICONDUCTOR  BC846ALT1G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 65 V, 100 MHz, 300 mW, 100 mA, 100 hFENPN 晶体管,ON Semiconductor这些 ON Semiconductor 双极晶体管可放大模拟或数字信号。 它们还可切换直流或用作振荡器。 ### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 3Pin SOT-23 T/R

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Infineon (英飞凌)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 -

封装 SOT-23-3 SC-70-3 SOT-23-3

频率 100 MHz 100 MHz -

额定电压(DC) 65.0 V 65.0 V 65.0 V

额定电流 100 mA 100 mA 100 mA

无卤素状态 Halogen Free Halogen Free -

针脚数 3 3 -

极性 NPN NPN -

耗散功率 300 mW 150 mW 330 mW

击穿电压(集电极-发射极) 65 V 65 V 65 V

集电极最大允许电流 0.1A 0.1A -

最小电流放大倍数(hFE) 110 @2mA, 5V 200 @2mA, 5V 110 @2mA, 5V

额定功率(Max) 300 mW 150 mW 330 mW

直流电流增益(hFE) 100 100 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 300 mW 150 mW 330 mW

增益频宽积 - 100 MHz -

长度 2.9 mm 2.2 mm -

宽度 1.3 mm 1.24 mm -

高度 0.94 mm 0.9 mm -

封装 SOT-23-3 SC-70-3 SOT-23-3

材质 Silicon Silicon -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2016/06/20 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台