对比图
型号 SI4923DY-T1-E3 SI4953ADY-T1-GE3 SI4973DY-T1-GE3
描述 MOSFET P-CH DUAL 30V 8-SOICMOSFET 30V 3.9A 2W 53mohm @ 10VMOSFET 30V 7.6A 2W 23mohm @ 10V
数据手册 ---
制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 - -
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
漏源极电阻 0.031 Ω - -
耗散功率 1.1 W - -
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
热阻 62.5℃/W (RθJA) - -
额定功率(Max) 1.1 W 1.1 W 1.1 W
工作温度(Max) 150 ℃ - -
工作温度(Min) -55 ℃ - -
极性 - P-Channel -
连续漏极电流(Ids) - -4.90 A -
长度 5 mm - 4.9 mm
高度 1.55 mm - 1.75 mm
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
宽度 - - 3.9 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free