对比图
型号 IPD060N03LG IRLR8729TRPBF IRLR8729PBF
描述 OptiMOS®3电源晶体管具有快速开关MOSFET的开关电源 OptiMOS™3 Power-Transistor Features Fast switching MOSFET for SMPS晶体管, MOSFET, N沟道, 58 A, 30 V, 0.006 ohm, 10 V, 1.8 VN 通道功率 MOSFET 50A 至 59A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
额定功率 - - 55 W
极性 N-Channel N-CH N-Channel
耗散功率 56 W 55 W 55 W
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) - 58A 58A
上升时间 - 47 ns 47 ns
输入电容(Ciss) 240pF @15V(Vds) 1350pF @15V(Vds) 1350pF @15V(Vds)
额定功率(Max) 56 W 55 W 55 W
下降时间 - 10 ns 10 ns
工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 55W (Tc) 55W (Tc)
针脚数 - 3 -
漏源极电阻 - 0.006 Ω -
阈值电压 - 1.8 V -
通道数 1 - -
长度 - - 6.73 mm
宽度 6.22 mm - 6.22 mm
高度 - - 2.39 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
香港进出口证 NLR - -