BLF8G27LS-100J和BLF8G27LS-100U

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BLF8G27LS-100J BLF8G27LS-100U

描述 RF Power Transistor, 2.5 to 2.7GHz, 100W, 17dB, 28V, SOT502B, LDMOSRF Power Transistor, 2.5 to 2.7GHz, 100W, 17dB, 28V, SOT502B, LDMOS

数据手册 --

制造商 Ampleon USA Ampleon USA

分类 晶体管晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3

封装 SOT-502 SOT-502

频率 2.5GHz ~ 2.7GHz 2.5GHz ~ 2.7GHz

输出功率 25 W 25 W

增益 17 dB 17 dB

测试电流 900 mA 900 mA

工作温度(Max) 225 ℃ 225 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃

额定电压 65 V 65 V

电源电压 28 V 28 V

封装 SOT-502 SOT-502

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

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